铠侠与闪迪将于6月展示千层级QLC NAND技术

2026年6月14日至18日，铠侠与闪迪将在美国夏威夷举行的VLSI Symposium研讨会上联合展出多层堆叠单元架构QLC NAND闪存，目标突破1000层3D NAND。双方已提前公布MSA-CBA器件架构及FIB-SEM堆叠图像。铠侠2024年提出千层路线图，预计2027年实现1000字线3D NAND及100 Gbit/mm²存储密度。三星亦探索类似晶圆堆叠方案，但策略更趋稳健。